1、N型半导体：又称为电子型半导体。在纯净的硅晶体中通过特殊工艺掺入少量的五价元素（如磷、砷、锑等）而形成，其内部自由电子浓度远大于空穴浓度。以是，N半导体内部形成带负电的多数载流子——自由电子，而少数载流子是空穴。N型半导体主要靠自由电子导电。由于自由电子主要由所掺入的杂质提供，以是掺入的五价杂质越多，自由电子的浓度就越高，导电性能就越强。而空穴由热引发形成，情形温度越高，热引发越强烈。
2、P型半导体：又称为空穴型半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）而形成，其内部空穴浓度远大于自由电子浓度。以是，P型半导体内部形成带正电的多数载流子——空穴，而少数载流子是自由电子。P型半导体主要靠空穴导电。由于空穴主要由所掺入杂质原子提供，掺入三价的杂质越多，空穴的浓度就越高，导电性能就越强。而自由电子是由热引发形成，情形温度越高，热引发越强烈。
3、PN结及特征：P型和N型半导体接触时，在界面周围空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消逝。因此在界面周围的结区中有一段距离缺少载流子，却有内建一个由N区指向P区的内电chang。由于内电chang是由多子建成，以是到达平衡后，内建电chang将阻挡多数载流子的扩散，但不能阻止少数载流子。P区和N区的少数载流子一旦靠近PN结，便在内电chang的作用下漂移到对方。
下面，讲一下ＰＮ结的单向导电性。
外加正向电压（正偏）：在外电chang作用下，多子将向ＰＮ结移动，效果使空间电荷区变窄，内电chang被削弱，有利于多子的扩散而倒霉于少子的漂移，扩散运动起主要作用。效果，Ｐ区的多子空穴将源源一直的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦一直流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。
外加反向电压（反偏）：在外电chang作用下，多子将背离ＰＮ结移动，效果使空间电荷区变宽，内电chang被zeng强，有利于少子的漂移而倒霉于多子的扩散，漂移运动起主要作用。漂移运动发生的漂移电流的偏向与正向电流相反，称为反向电流。因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。当温度一准时，少子浓度一定，反向电流险些不随外加电压而转变，故称为反向饱和电流。
4、扩散和漂移：多数载流子移动时扩散，少数载流子移动时漂移。
5、复合：电子和空穴相遇就会复合，大量的电子-空穴对复合就形成电流。
6、空间电荷区：也称耗尽层。在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电chang导致的漂移运动，使PN结中央的部位（P区和N区接壤面）发生一个很薄的电荷区，它就是空间电荷区。在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗殆尽了，因此空间电荷区又称为耗尽层。P区一侧泛起负电荷，N区一侧泛起正电荷，因此空间电荷区泛起了偏向由N区指向P区的内电chang。内电chang将阻碍多子的扩散，而少子一旦靠近PN结，便在内电chang的作用下漂移到对方。
PN结正偏时，内电chang削弱，有利于多子的扩散而倒霉于少子的漂移；PN结反偏时，扩散运动使空间电荷区加宽，内电changzeng强，有利于少子的漂移而倒霉于多子的扩散。
7、内电chang：PN结周围空间电荷区中，偏向由N区指向P区的内电chang。内电chang对多数载流子起隔离作用，而对少数载流子起导通作用。
8、载流子：可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。
9、少数载流子：P型半导体地少数载流子是自由电子，N型半导体中是空穴。
10、二极管：单向导电性。正偏多数载流子可以通过，反偏少数载流子可以通过。反偏时P型半导体和N型半导体不能提供源源一直的少数载流子，以是反偏近似无电流。
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